三安长沙第三代半导体产业园开工 总投资160亿元

　　

三安长沙第三代半导体产业园建设施工现场。记者 龙腾 摄

7月20日讯(记者 龙腾 实习生 李倩雯)7月20日，三安长沙第三代半导体产业园在长沙高新区正式开工，项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元，打造世界级化合物功率芯片研发、制造与服务基地。湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华宣布开工。

当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)作为第三代半导体成熟商用材料的典型代表，已成为能源高效率、高频率新型电力电子芯片的重点新材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要的应用价值。

三安长沙第三代半导体产业园设计效果图

湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司(独立核算)，业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。此次开工的三安长沙第三代半导体产业园，规划主附建筑物81栋，总建筑面积54万平方米，主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。

今年以来，长沙高新区按照“六个一”(一个项目、一位领导、一套班子、一本台账、一张图表、一份报告)的管理模式，实行“一个项目一套班子帮扶、一个项目一张图纸作战、一个项目一套清单管理、一个项目一个小组代办、一个项目一个微信群调度”的推进措施，全力推进项目建设。

三安长沙第三代半导体产业园是长沙高新区今年共铺排81个购地项目之一。据了解，81个购地项目总投资2056亿元，年度投资225亿元，同比增长15%。截至6月底，实际开工24个，完成全年目标任务80%;实际竣工项目14个，完成全年目标任务70%。